金、银、钯、铂等贵金属具有高渗透性能及优良的导电特性，通过恰当调整配方，用作元器件金属化电极及引出端回收金废料，不仅可提高产品的可靠性，而且其工艺性能良好。在器件生产中普遍使用金、铂，在组装中（如普通陶瓷介质电生产及线，陶瓷独石电容器、组装电路板等）大量使用银电极浆料、把银电极浆料，尤其在各类引进生产线上生产电子元器件时，贵金属材料的用量更是在不断增大。
铟在地壳中的分布量比较小，又很分散。它的富矿还没有发现过，只是在锌和其他一些金属矿中作为杂质存在，因此它被列入稀有金属。 [3]
已知铟矿物有硫铟铜矿（CuInS2）、硫铟铁矿（FeInS4）和水铟矿等。铟主要呈类质同象存在于铁闪锌矿、赤铁矿、方铅矿以及其他多金属硫化物矿石中。此外，锡石、黑钨矿、普通角闪石中也含铟。工业上，铟的主要来源为闪锌矿（含铟0.0001～0.1%），在铅锌矿冶炼过程中作为副产品回收，锡冶炼也回收铟。
砷化镓（gallium arsenide），化学式 GaAs。黑灰色固体，熔点1238℃。它在600℃以下，能在空气中稳定存在，并且不被非氧化性的酸侵蚀。砷化镓是一种重要的半导体材料。属Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体。属闪锌矿型晶格结构，晶格常数5.65×10-10m，熔点1237℃，禁带宽度1.4电子伏。砷化镓于1964年进入实用阶段。锡铅合金焊料广泛应用于电子信息产品的制造。在焊接过程中，由于高温氧化而产生大量的氧化渣。氧化渣的主要成分是锡铅氧化物，属于含铅有害固体废物。它的无序排放对人类和环境危害极大，是国家管理的危险固体废物的一类。
砷化镓可以制成电阻率比硅、锗高3个数量级以上的半绝缘高阻材料,用来制作集成电路衬底、红外探测器、γ光子探测器等。由于其电子迁移率比硅大5～6倍，故在制作微波器件和高速数字电路方面得到重要应用。用砷化镓制成的半导体器件具有高频、高温、低温性能好、噪声小、抗辐射能力强等优点。此外，还可以用于制作转移器件──体效应器件。砷化镓是半导体材料中，兼具多方面优点的材料,但用它制作的晶体三极管的放大倍数小，导热性差，不适宜制作大功率器件。虽然砷化镓具有优越的性能，但由于它在高温下分解，故要生产理想化学配比的高纯的单晶材料，技术上要求比较高。